Številka izdelka proizvajalca:
SUM90330E-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SUM90330E-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Podroben opis:
N-Channel 200 V 35.1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
690 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12915965
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SUM90330E-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
ThunderFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
35.1A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
7.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
37.5mOhm @ 12.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1172 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
SUM90330
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SUM90330E-GE3TR
SUM90330E-GE3CT
SUM90330E-GE3DKR
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
RCJ700N20TL
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
4
ŠTEVILKA DELA
RCJ700N20TL-DG
CENA ENOTE
2.35
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIA446DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
SI4831DY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC
SUD50N04-09H-E3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
