SUM90N03-2M2P-E3
Številka izdelka proizvajalca:

SUM90N03-2M2P-E3

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

SUM90N03-2M2P-E3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Podroben opis:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Zaloga:

1612 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12920598
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

SUM90N03-2M2P-E3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
90A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
257 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
12065 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.75W (Ta), 250W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
SUM90

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
SUM90N03-2M2P-E3CT
SUM90N03-2M2P-E3TR
SUM90N032M2PE3
SUM90N03-2M2P-E3-DG
SUM90N03-2M2P-E3DKR
Standardni paket
800

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

SI8466EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT

vishay-siliconix

TN2404K-T1-E3

MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3

vishay-siliconix

SIHF18N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3

vishay-siliconix

SI4447ADY-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO