Številka izdelka proizvajalca:
SUP50020E-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SUP50020E-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Zaloga:
12787061
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
LKfY
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SUP50020E-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
7.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
128 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
375W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
SUP50020
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SUP50020E-GE3DKRINACTIVE
SUP50020E-GE3CT
SUP50020E-GE3CT-DG
SUP50020E-GE3TR
SUP50020E-GE3TRINACTIVE
SUP50020E-GE3DKR
SUP50020E-GE3TR-DG
SUP50020E-GE3DKR-DG
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FDP023N08B-F102
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
890
ŠTEVILKA DELA
FDP023N08B-F102-DG
CENA ENOTE
1.57
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
TK100E06N1,S1X
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
11
ŠTEVILKA DELA
TK100E06N1,S1X-DG
CENA ENOTE
1.09
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIHB12N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
SIHG47N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
SIHG80N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
