Številka izdelka proizvajalca:
SUP70060E-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SUP70060E-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 100 V 131A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Zaloga:
12787500
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SUP70060E-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Bulk
Serije
ThunderFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
131A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
7.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3330 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
200W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
SUP70060
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
CSD19531KCS
PROIZVAJALEC
Texas Instruments
KOLIČINA NA VOLJO
163
ŠTEVILKA DELA
CSD19531KCS-DG
CENA ENOTE
0.82
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IXFP180N10T2
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXFP180N10T2-DG
CENA ENOTE
3.00
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SQS423EN-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
SIHB15N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
SQP90142E_GE3
MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
