IRFBE20PBF
Številka izdelka proizvajalca:

IRFBE20PBF

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

IRFBE20PBF-DG

Opis:

MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 800 V 1.8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB

Zaloga:

1496 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13049530
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IRFBE20PBF Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Pakiranje
Tube
Stanje dela
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6.5Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
530 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
54W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IRFBE20

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
IRFBE20PBF-DG
Tehnični listi
IRFBE20PBF
Podatkovni listi
IRFBE20, SiHFBE20 IRF520PBF

Dodatne informacije

Druga imena
*IRFBE20PBF
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
vishay

IRFPC50LC

MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

vishay

IRFR010TR

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

vishay

IRFBF30S

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

vishay

IRF830AL

MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK