Številka izdelka proizvajalca:
IRFD224
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
IRFD224-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Podroben opis:
N-Channel 250 V 630mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Zaloga:
13053325
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFD224 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
-
Pakiranje
Tube
Stanje dela
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
250 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
630mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 380mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
260 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
4-HVMDIP
Paket / Primer
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Osnovna številka izdelka
IRFD224
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
*IRFD224
Standardni paket
100
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRFD224PBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
2250
ŠTEVILKA DELA
IRFD224PBF-DG
CENA ENOTE
0.51
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF9640SPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
IRFR9220PBF
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
IRFR224TRR
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
