IRLD024PBF

Številka izdelka proizvajalca:

IRLD024PBF

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

IRLD024PBF-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP

Podroben opis:

N-Channel 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Zaloga:

1136 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

13053827

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

IRLD024PBF Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Vishay

Pakiranje

Tube

Serije

-

Pakiranje

Tube

Stanje dela

Last Time Buy

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

60 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

2.5A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4V, 5V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

100mOhm @ 1.5A, 5V

vgs(th) (maks) @ id

2V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

18 nC @ 5 V

Vgs (maks)

±10V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

870 pF @ 25 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

1.3W (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vrsta montaže

Through Hole

Paket naprav dobavitelja

4-HVMDIP

Paket / Primer

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Osnovna številka izdelka

IRLD024

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

*IRLD024PBF

Standardni paket

100

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

vishay

IRFP9140

MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3

vishay

IRF9Z10

MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB

vishay

IRFB17N60KPBF

MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB

vishay

IRF730PBF

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB