Številka izdelka proizvajalca:
SI5459DU-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI5459DU-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 8A PPAK
Podroben opis:
P-Channel 20 V 8A (Tc) 3.5W (Ta), 10.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Zaloga:
2267 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13056486
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI5459DU-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Stanje dela
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
52mOhm @ 6.7A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
665 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
Delovna temperatura
-50°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® ChipFET™ Single
Paket / Primer
PowerPAK® ChipFET™ Single
Osnovna številka izdelka
SI5459
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SI5459DU-T1-GE3DKR
SI5459DUT1GE3
SI5459DU-T1-GE3TR
SI5459DU-T1-GE3-ND
SI5459DU-T1-GE3CT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI4196DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 8SO
SI1405DL-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
SI4434DY-T1-E3
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
