Številka izdelka proizvajalca:
SI7439DP-T1-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI7439DP-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Podroben opis:
P-Channel 150 V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Zaloga:
7214 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13057777
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI7439DP-T1-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serije
TrenchFET®
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Stanje dela
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
90mOhm @ 5.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.9W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SI7439
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SI7439DPT1E3
SI7439DP-T1-E3DKR
SI7439DP-T1-E3TR
SI7439DP-T1-E3CT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SISS12DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
SI7818DN-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
SIJA52ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK