Številka izdelka proizvajalca:
SI7495DP-T1-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI7495DP-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
Podroben opis:
P-Channel 12 V 13A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Zaloga:
13057184
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI7495DP-T1-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
TrenchFET®
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Stanje dela
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
12 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 21A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
900mV @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
140 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±8V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.8W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SI7495
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI7148DP-T1-E3
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
IRFR9014NTR
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
SI3475DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP