Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
SIHG73N60AE-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIHG73N60AE-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Podroben opis:
N-Channel 600 V 60A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
13007874
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIHG73N60AE-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
E
Pakiranje
Tube
Stanje dela
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
40mOhm @ 36.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
394 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5500 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
417W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247AC
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
SIHG73
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
SIHG73N60AE-GE3-DG
Tehnični listi
SIHG73N60AE-GE3
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STW69N65M5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
485
ŠTEVILKA DELA
STW69N65M5-DG
CENA ENOTE
7.27
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
FCH041N60F
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
365
ŠTEVILKA DELA
FCH041N60F-DG
CENA ENOTE
7.37
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
FCH041N60E
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
130
ŠTEVILKA DELA
FCH041N60E-DG
CENA ENOTE
7.29
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IPW60R045CPAFKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
83
ŠTEVILKA DELA
IPW60R045CPAFKSA1-DG
CENA ENOTE
12.42
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SUD42N03-3M9P-GE3
MOSFET N-CH 30V 42A TO252
SIR640DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SUP90N15-18P-E3
MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB
SUD06N10-225L-E3
MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252