Številka izdelka proizvajalca:
SIRA12BDP-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIRA12BDP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Podroben opis:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Zaloga:
9695 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13006916
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
uo3R
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIRA12BDP-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET® Gen IV
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Stanje dela
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
27A (Ta), 60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+20V, -16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1470 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
5W (Ta), 38W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SIRA12
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIHG22N60EL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
SIRA16DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
SQP60N06-15_GE3
MOSFET N-CH 60V 56A TO220AB
