Številka izdelka proizvajalca:
SISS23DN-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SISS23DN-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Podroben opis:
P-Channel 20 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Zaloga:
13506 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13063820
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SISS23DN-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Stanje dela
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 20A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
900mV @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
8840 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Delovna temperatura
-50°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Primer
PowerPAK® 1212-8S
Osnovna številka izdelka
SISS23
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SISS23DN-T1-GE3CT
SISS23DN-T1-GE3DKR
SISS23DN-T1-GE3TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSS138W L6433
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
AUIRLS3034-7P
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
BSP295E6327
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
