Številka izdelka proizvajalca:
SUM60020E-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SUM60020E-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Podroben opis:
N-Channel 80 V 150A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
2003 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13061684
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SUM60020E-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Stanje dela
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
150A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
7.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.1mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
227 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
10680 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
375W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
SUM60020
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SUM60020E-GE3CT
SUM60020E-GE3TR
SUM60020E-GE3DKR
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SUD50N06-07L-E3
MOSFET N-CH 60V 96A TO252
SI1469DH-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
SIR892DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
