C3M0045065J1
Številka izdelka proizvajalca:

C3M0045065J1

Product Overview

Proizvajalec:

Wolfspeed, Inc.

DiGi Electronics Številka dela:

C3M0045065J1-DG

Opis:

650V 45 M SIC MOSFET
Podroben opis:
N-Channel 650 V 47A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Zaloga:

1475 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12972464
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

C3M0045065J1 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Wolfspeed
Pakiranje
Tube
Serije
C3M™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
47A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
15V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
60mOhm @ 17.6A, 15V
vgs(th) (maks) @ id
3.6V @ 4.84mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
61 nC @ 15 V
Vgs (maks)
+19V, -8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1621 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
147W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263-7
Paket / Primer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
C3M0045065J1
HTML tehnični list
C3M0045065J1-DG
Tehnični listi
C3M0045065J1

Dodatne informacije

Druga imena
1697-C3M0045065J1
-3312-C3M0045065J1
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
3 (168 Hours)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
onsemi

NTMFS4983NBFT1G

MOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN

panjit

PJQ5474A_R2_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

panjit

PJC7403_R1_00001

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ4413P_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M