Številka izdelka proizvajalca:
AOW418
Product Overview
Proizvajalec:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Številka dela:
AOW418-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 9.5A/105A TO262
Podroben opis:
N-Channel 100 V 9.5A (Ta), 105A (Tc) 2.1W (Ta), 333W (Tc) Through Hole TO-262
Zaloga:
12849649
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
AOW418 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Pakiranje
-
Serije
SDMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9.5A (Ta), 105A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
7V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.9V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5200 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.1W (Ta), 333W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-262
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
AOW41
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FDI045N10A-F102
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
475
ŠTEVILKA DELA
FDI045N10A-F102-DG
CENA ENOTE
1.84
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRL610A
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220-3
AOTF11S65L
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3F
AOWF11N60
MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
