Številka izdelka proizvajalca:
AS2302
Product Overview
Proizvajalec:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
DiGi Electronics Številka dela:
AS2302-DG
Opis:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Podroben opis:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Zaloga:
26141 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13001597
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
AS2302 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Anbon Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
55mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.25V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
3.81 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
220 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
700mW (Ta)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-23
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodatne informacije
Druga imena
4530-AS2302TR
4530-AS2302CT
4530-AS2302DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IQE013N04LM6CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
JANSR2N7591U3
RH MOSFET _ U3
IPB95R450PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
