DMG8N65SCT
Številka izdelka proizvajalca:

DMG8N65SCT

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMG8N65SCT-DG

Opis:

MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)

Zaloga:

12883489
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

DMG8N65SCT Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1217 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB (Type TH)
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
DMG8N65

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
IXFP7N80PM
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXFP7N80PM-DG
CENA ENOTE
4.60
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IXFP7N80P
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
299
ŠTEVILKA DELA
IXFP7N80P-DG
CENA ENOTE
2.31
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
diodes

DMTH4004SCTB-13

MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R

diodes

DMN3007LSS-13

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

diodes

DMN67D8L-7

MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23

diodes

DMN1150UFB-7B

MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN