DMN2008LFU-7

Številka izdelka proizvajalca:

DMN2008LFU-7

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

DMN2008LFU-7-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN

Podroben opis:

Mosfet Array 20V 14.5A 1W Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)

Zaloga:

5679 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12888766

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

DMN2008LFU-7 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi

Proizvajalec

Diodes Incorporated

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

-

Stanje izdelka

Active

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracijo

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funkcija FET

-

Odtok do napetosti vira (vdss)

20V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

14.5A

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V

vgs(th) (maks) @ id

1.5V @ 250A

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

42.3nC @ 10V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

1418pF @ 10V

Moč - največja

1W

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket / Primer

6-UFDFN Exposed Pad

Paket naprav dobavitelja

U-DFN2030-6 (Type B)

Osnovna številka izdelka

DMN2008

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

DMN2008LFU-7-DG

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

DMN2008LFU-7DIDKR

DMN2008LFU-7DITR

DMN2008LFU-7DICT

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

diodes

DMT3020LFDB-13

MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN

diodes

DMN2400UV-7

MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

DMNH6035SPDW-13

MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERDI50

diodes

DMG6898LSD-13

MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO