Številka izdelka proizvajalca:
DMN2990UFZ-7B
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMN2990UFZ-7B-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN
Podroben opis:
N-Channel 20 V 250mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3
Zaloga:
1178077 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890986
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMN2990UFZ-7B Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
250mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.2V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
990mOhm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
55.2 pF @ 16 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
320mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
X2-DFN0606-3
Paket / Primer
3-XFDFN
Osnovna številka izdelka
DMN2990
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
-772-DMN2990UFZ-7BDKR
DMN2990UFZ-7BDIDKR
DMN2990UFZ-7BDICT
-772-DMN2990UFZ-7BTR
-772-DMN2990UFZ-7BCT
DMN2990UFZ-7BDITR
Standardni paket
10,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPCA8003-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 35A 8SOP
SSM3K15AFS,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
TK39N60W5,S1VF
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
