Številka izdelka proizvajalca:
TK39N60W5,S1VF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK39N60W5,S1VF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Podroben opis:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Zaloga:
3172 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890996
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK39N60W5,S1VF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
38.8A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
74mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 1.9mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4100 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
270W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
TK39N60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK39N60W5S1VF
TK39N60W5,S1VF(S
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPC8035-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TK65A10N1,S4X
MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
TPCC8008(TE12L,QM)
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON