Številka izdelka proizvajalca:
DMT10H009LPS-13
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMT10H009LPS-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Podroben opis:
N-Channel 100 V 10A (Ta), 90A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Zaloga:
2159 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12882617
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMT10H009LPS-13 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Ta), 90A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
40.2 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2309 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.3W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerDI5060-8
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
DMT10
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
31-DMT10H009LPS-13TR
31-DMT10H009LPS-13DKR
31-DMT10H009LPS-13CT
DMT10H009LPS-13DI
DMT10H009LPS-13DI-DG
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
BSC098N10NS5ATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
16419
ŠTEVILKA DELA
BSC098N10NS5ATMA1-DG
CENA ENOTE
0.62
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMP4010SK3-13
MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO252
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
IRFBE30STRLPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
