Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
DMT3009LFVW-13
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMT3009LFVW-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Podroben opis:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12884198
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMT3009LFVW-13 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12A (Ta), 50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
3.8V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
11mOhm @ 14.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
823 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.3W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount, Wettable Flank
Paket naprav dobavitelja
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
DMT3009
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
DMT3009LFVW
HTML tehnični list
DMT3009LFVW-13-DG
Tehnični listi
DMT3009LFVW-13
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
DMT3009LFVW-7
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
650
ŠTEVILKA DELA
DMT3009LFVW-7-DG
CENA ENOTE
0.18
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
ŠTEVILO DELA
TPN8R903NL,LQ
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
5561
ŠTEVILKA DELA
TPN8R903NL,LQ-DG
CENA ENOTE
0.22
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
TPH11003NL,LQ
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
2298
ŠTEVILKA DELA
TPH11003NL,LQ-DG
CENA ENOTE
0.23
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RQ3E120GNTB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
11286
ŠTEVILKA DELA
RQ3E120GNTB-DG
CENA ENOTE
0.14
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMN2300UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
DMN3025LFDF-13
MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
DMG3414U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
DMT4008LSS-13
MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SO