Številka izdelka proizvajalca:
DMT6015LFV-7
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
DMT6015LFV-7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Podroben opis:
N-Channel 60 V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
Zaloga:
1750 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12888720
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
DMT6015LFV-7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9.5A (Ta), 35A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
16mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
18.9 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1103 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.2W (Ta), 30W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerDI3333-8 (Type UX)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
DMT6015
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
31-DMT6015LFV-7TR
31-DMT6015LFV-7CT
DMT6015LFV-7-DG
31-DMT6015LFV-7DKR
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
TPN11006NL,LQ
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
10188
ŠTEVILKA DELA
TPN11006NL,LQ-DG
CENA ENOTE
0.27
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMN3200U-7
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
DMP3028LK3Q-13
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252
DMTH4008LFDFW-13
MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
