ZVN4306AVSTOA

Številka izdelka proizvajalca:

ZVN4306AVSTOA

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

ZVN4306AVSTOA-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE

Podroben opis:

N-Channel 60 V 1.1A (Ta) 850mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12905580

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

ZVN4306AVSTOA Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Diodes Incorporated

Pakiranje

-

Serije

-

Stanje izdelka

Obsolete

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

60 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

1.1A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

330mOhm @ 3A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

3V @ 1mA

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

350 pF @ 25 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

850mW (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Through Hole

Paket naprav dobavitelja

E-Line (TO-92 compatible)

Paket / Primer

E-Line-3

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

ZVN4306AVSTOA-DG

Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket

2,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

vishay-siliconix

IRLD110PBF

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

littelfuse

IXTA3N100P

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263

diodes

ZXMN6A07ZTA

MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3

littelfuse

IXFC14N60P

MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220