ZXMN6A07ZTA
Številka izdelka proizvajalca:

ZXMN6A07ZTA

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

ZXMN6A07ZTA-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Podroben opis:
N-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SOT-89-3

Zaloga:

400 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12905605
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

ZXMN6A07ZTA Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.9A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
250mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
3.2 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
166 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.5W (Ta)
Delovna temperatura
-
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-89-3
Paket / Primer
TO-243AA
Osnovna številka izdelka
ZXMN6

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
ZXMN6A07Z
HTML tehnični list
ZXMN6A07ZTA-DG
Tehnični listi
ZXMN6A07ZTA

Dodatne informacije

Druga imena
ZXMN6A07ZDKR
ZXMN6A07ZCT-NDR
ZXMN6A07ZTR-NDR
ZXMN6A07ZTR
ZXMN6A07ZCT
ZXMN6A07ZDKR-NDR
Standardni paket
1,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
littelfuse

IXFC14N60P

MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220

diodes

ZVN3310FTA

MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3

vishay-siliconix

IRFD123PBF

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

vishay-siliconix

IRFP32N50KPBF

MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3