ZVN4306GTA
Številka izdelka proizvajalca:

ZVN4306GTA

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

ZVN4306GTA-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Podroben opis:
N-Channel 60 V 2.1A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

Zaloga:

2633 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12949560
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

ZVN4306GTA Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.1A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
330mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 1mA
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
350 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-223-3
Paket / Primer
TO-261-4, TO-261AA
Osnovna številka izdelka
ZVN4306

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
ZVN4306G
ZVN4306GDKR
ZVN4306GCT
ZVN4306GDKR-DG
ZVN4306GDKRINACTIVE
ZVN4306GCT-NDR
ZVN4306GTR
ZVN4306GTR-NDR
Standardni paket
1,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2034TE85LF

MOSFET N-CH 20V 100MA SC70

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ20S04M3L(T6L1,NQ

MOSFET P-CH 40V 20A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J511NU,LF

MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB

diodes

DMN10H220L-13

MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23