ZXMN10A25KTC
Številka izdelka proizvajalca:

ZXMN10A25KTC

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

ZXMN10A25KTC-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 4.2A (Ta) 2.11W (Ta) Surface Mount TO-252-3

Zaloga:

4733 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12904300
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

ZXMN10A25KTC Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.2A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
125mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
17.16 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
859 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.11W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
ZXMN10

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
ZXMN10A25KTCTR
ZXMN10A25KTCDKR
ZXMN10A25KTCCT
Standardni paket
2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
fairchild-semiconductor

FQA12N60

MOSFET N-CH 600V 12A TO3P

fairchild-semiconductor

FDU8770

MOSFET N-CH 25V 35A IPAK

diodes

ZXM66P03N8TA

MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO

littelfuse

IXFX32N80Q3

MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3