Številka izdelka proizvajalca:
ZXMN10A25KTC
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
ZXMN10A25KTC-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 4.2A (Ta) 2.11W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Zaloga:
4733 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12904300
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
ZXMN10A25KTC Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.2A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
125mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
17.16 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
859 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.11W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252-3
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
ZXMN10
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
ZXMN10A25KTCTR
ZXMN10A25KTCDKR
ZXMN10A25KTCCT
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FQA12N60
MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
FDU8770
MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
ZXM66P03N8TA
MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
