IXFX32N80Q3
Številka izdelka proizvajalca:

IXFX32N80Q3

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXFX32N80Q3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3
Podroben opis:
N-Channel 800 V 32A (Tc) 1000W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Zaloga:

767 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12904375
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXFX32N80Q3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Q3 Class
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
32A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
270mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
6.5V @ 4mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6940 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1000W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PLUS247™-3
Paket / Primer
TO-247-3 Variant
Osnovna številka izdelka
IXFX32

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
IXFx32N80Q3
HTML tehnični list
IXFX32N80Q3-DG
Tehnični listi
IXFX32N80Q3

Dodatne informacije

Druga imena
-IXFX32N80Q3
Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
littelfuse

IXFN44N50U2

MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B

diodes

ZXMP4A16KTC

MOSFET P-CH 40V 6.6A TO252-3

littelfuse

IXTP3N100D2

MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB

diodes

ZVN3320ASTZ

MOSFET N-CH 200V 100MA E-LINE