Številka izdelka proizvajalca:
FBG30N04CC
Product Overview
Proizvajalec:
EPC Space, LLC
DiGi Electronics Številka dela:
FBG30N04CC-DG
Opis:
GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
Podroben opis:
N-Channel 300 V 4A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Zaloga:
58 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12997462
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FBG30N04CC Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
EPC Space
Pakiranje
Bulk
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
GaNFET (Gallium Nitride)
Odtok do napetosti vira (vdss)
300 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
404mOhm @ 4A, 5V
vgs(th) (maks) @ id
2.8V @ 600µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
2.6 nC @ 5 V
Vgs (maks)
+6V, -4V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
450 pF @ 150 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
-
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
4-SMD
Paket / Primer
4-SMD, No Lead
Dodatne informacije
Druga imena
4107-FBG30N04CC
Standardni paket
169
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PH4030DLVX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
IXFH46N65X3
MOSFET 46A 650V X3 TO247
PJS6403_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
