FDFMA3P029Z
Številka izdelka proizvajalca:

FDFMA3P029Z

Product Overview

Proizvajalec:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Številka dela:

FDFMA3P029Z-DG

Opis:

MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
Podroben opis:
P-Channel 30 V 3.3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MLP (2x2)

Zaloga:

2319 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12946934
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDFMA3P029Z Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Pakiranje
Bulk
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.3A (Ta)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
87mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
435 pF @ 15 V
Funkcija FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvajanje moči (maks.)
1.4W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
6-MLP (2x2)
Paket / Primer
6-WDFN Exposed Pad

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
FDFMA3P029Z Datasheet

Dodatne informacije

Druga imena
2156-FDFMA3P029Z
FAIFSCFDFMA3P029Z
Standardni paket
1,110

Okoljska in izvozna klasifikacija

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
fairchild-semiconductor

FDS6298

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

texas-instruments

CSD17303Q5

CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET

fairchild-semiconductor

FDB035AN06A0

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDMA530PZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6