Številka izdelka proizvajalca:
630AT
Product Overview
Proizvajalec:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
630AT-DG
Opis:
N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
Podroben opis:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
87 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13001168
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
630AT Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Goford Semiconductor
Pakiranje
Tube
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
250mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
509 pF @ 25 V
Funkcija FET
Standard
Odvajanje moči (maks.)
83W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
3141-630AT
4822-630AT
Standardni paket
100
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
630AT
PROIZVAJALEC
Goford Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
87
ŠTEVILKA DELA
630AT-DG
CENA ENOTE
0.30
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PMCA14UNYL
SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
DMWS120H100SM4
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
G110N06T
MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
