Številka izdelka proizvajalca:
AUIRF7103QTR
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
AUIRF7103QTR-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Podroben opis:
Mosfet Array 50V 3A 2.4W Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
12798453
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
AUIRF7103QTR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Cut Tape (CT)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
50V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
130mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
255pF @ 25V
Moč - največja
2.4W
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Osnovna številka izdelka
AUIRF7103
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
INFIRFAUIRF7103QTR
AUIRF7103QDKR
2156-AUIRF7103QTR
AUIRF7103QCT
SP001517980
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AUIRF7342Q
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
AUIRF7319Q
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOIC
AUIRF7303Q
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
