Številka izdelka proizvajalca:
BSC014NE2LSIATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSC014NE2LSIATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Podroben opis:
N-Channel 25 V 33A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Zaloga:
18735 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12799018
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSC014NE2LSIATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
25 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
33A (Ta), 100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2700 pF @ 12 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TDSON-8-7
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSC014
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSC014NE2LSIATMA1TR
BSC014NE2LSIDKR
BSC014NE2LSICT-DG
BSC014NE2LSITR-DG
SP000911336
BSC014NE2LSI-DG
INFINFBSC014NE2LSIATMA1
BSC014NE2LSI
BSC014NE2LSIATMA1CT
BSC014NE2LSICT
2156-BSC014NE2LSIATMA1
BSC014NE2LSIDKR-DG
BSC014NE2LSIATMA1DKR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSO303SPNTMA1
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8DSO
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
BSS7728NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
