Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
BSS119L6327HTSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSS119L6327HTSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12800926
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSS119L6327HTSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
SIPMOS®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
170mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.3V @ 50µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
2.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
78 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
360mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-SOT23
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
BSS119L6327HTSA1-DG
Tehnični listi
BSS119L6327HTSA1
Dodatne informacije
Druga imena
BSS119 L6327-DG
BSS119L6327HTSA1TR
SP000247290
BSS119 L6327
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
BSS123L
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
BSS123L-DG
CENA ENOTE
0.03
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
BSS123
PROIZVAJALEC
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
KOLIČINA NA VOLJO
143884
ŠTEVILKA DELA
BSS123-DG
CENA ENOTE
0.01
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
BSS123,215
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
145643
ŠTEVILKA DELA
BSS123,215-DG
CENA ENOTE
0.03
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
BSS123-7-F
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
288176
ŠTEVILKA DELA
BSS123-7-F-DG
CENA ENOTE
0.02
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
ZVN3310FTA
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
6862
ŠTEVILKA DELA
ZVN3310FTA-DG
CENA ENOTE
0.19
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB080N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPD50N04S410ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
IPB65R190CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
IPD50N06S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3