Številka izdelka proizvajalca:
BSS126H6327XTSA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSS126H6327XTSA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Podroben opis:
N-Channel 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Zaloga:
123266 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12799405
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSS126H6327XTSA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
SIPMOS®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
21mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
0V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
500Ohm @ 16mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1.6V @ 8µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
2.1 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
28 pF @ 25 V
Funkcija FET
Depletion Mode
Odvajanje moči (maks.)
500mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-SOT23
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
BSS126
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
BSS126H6327XTSA2DKR
BSS126H6327XTSA2TR
SP000919334
BSS126H6327XTSA2CT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSD816SNL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
BSC16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
BSC0902NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
