Številka izdelka proizvajalca:
BSS225L6327HTSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSS225L6327HTSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Podroben opis:
N-Channel 600 V 90mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Zaloga:
12799073
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSS225L6327HTSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
SIPMOS®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
90mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
45Ohm @ 90mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.3V @ 94µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
131 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-SOT89
Paket / Primer
TO-243AA
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSS225L6327HTSA1TR
BSS225L6327XT
BSS225 L6327
SP000095776
BSS225 L6327-DG
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
BSS225H6327FTSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
5690
ŠTEVILKA DELA
BSS225H6327FTSA1-DG
CENA ENOTE
0.19
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSP135H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
AUIRF1010Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
AUIRFZ44ZSTRL
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
