Številka izdelka proizvajalca:
BSZ22DN20NS3GATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSZ22DN20NS3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Podroben opis:
N-Channel 200 V 7A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Zaloga:
9286 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12799722
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSZ22DN20NS3GATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
225mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 13µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
430 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
34W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TSDSON-8
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSZ22DN20
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSZ22DN20NS3G
BSZ22DN20NS3GTR
2156-BSZ22DN20NS3GATMA1
BSZ22DN20NS3GDKR-DG
BSZ22DN20NS3GATMA1DKR
SP000781794
BSZ22DN20NS3GDKR
BSZ22DN20NS3GCT-DG
BSZ22DN20NS3GTR-DG
BSZ22DN20NS3GATMA1TR
IFEINFBSZ22DN20NS3GATMA1
BSZ22DN20NS3GCT
BSZ22DN20NS3GATMA1CT
BSZ22DN20NS3 G
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB015N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
BUZ31 H3045A
MOSFET N-CH 200V 14.5A D2PAK
IPB45P03P4L11ATMA1
MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3