Številka izdelka proizvajalca:
BSZ340N08NS3GATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSZ340N08NS3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Podroben opis:
N-Channel 80 V 6A (Ta), 23A (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Zaloga:
46713 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12801406
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSZ340N08NS3GATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Ta), 23A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
34mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 12µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
630 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.1W (Ta), 32W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TSDSON-8
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSZ340
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSZ340N08NS3GINTR-DG
BSZ340N08NS3GATMA1TR
BSZ340N08NS3GINDKR-DG
BSZ340N08NS3GATMA1CT
BSZ340N08NS3GINCT
BSZ340N08NS3GINCT-DG
BSZ340N08NS3 G
SP000443634
BSZ340N08NS3GINDKR
BSZ340N08NS3GATMA1DKR
BSZ340N08NS3G
BSZ340N08NS3GINTR
BSZ340N08NS3GXT
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB120P04P4L03ATMA1
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
CSD23285F5T
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
IPD09N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
