IAUC120N06S5N032ATMA1
Številka izdelka proizvajalca:

IAUC120N06S5N032ATMA1

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

IAUC120N06S5N032ATMA1-DG

Opis:

MOSFET_)40V 60V)
Podroben opis:
N-Channel 60 V 120A (Tj) 94W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34

Zaloga:

2487 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12991576
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IAUC120N06S5N032ATMA1 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™-5
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tj)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
7V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.23mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.4V @ 44µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3446 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
94W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TDSON-8-34
Paket / Primer
8-PowerTDFN

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
SP005616399
448-IAUC120N06S5N032ATMA1CT
448-IAUC120N06S5N032ATMA1TR
448-IAUC120N06S5N032ATMA1DKR
Standardni paket
5,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
infineon-technologies

IAUC120N06S5L015ATMA1

MOSFET_)40V 60V)

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ20A10M3(STA4,Q

TJ20A10M3(STA4,Q

infineon-technologies

IPB95R130PFD7ATMA1

HIGH POWER_NEW