Številka izdelka proizvajalca:
IAUC41N06S5L100ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IAUC41N06S5L100ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Podroben opis:
N-Channel 60 V 41A (Tj) 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
Zaloga:
29873 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12979690
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IAUC41N06S5L100ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
41A (Tj)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 13µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1205 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
42W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TDSON-8-33
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
IAUC41
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP004486372
SP005409893
448-IAUC41N06S5L100ATMA1CT
448-IAUC41N06S5L100ATMA1TR
448-IAUC41N06S5L100ATMA1DKR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
GCMX080B120S1-E1
SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
IAUC120N04S6L005ATMA1
IAUC120N04S6L005ATMA1
IRFSL7537PBF
MOSFET N-CH 60V 173A TO262
