Številka izdelka proizvajalca:
IPA057N08N3GXKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPA057N08N3GXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 60A TO220-FP
Podroben opis:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 39W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Zaloga:
450 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803326
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPA057N08N3GXKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 90µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4750 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
39W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-FP
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
IPA057
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPA057N08N3 G
SP000454442
IPA057N08N3GXKSA1-DG
IPA057N08N3 G-DG
448-IPA057N08N3GXKSA1
IPA057N08N3G
2156-IPA057N08N3GXKSA1
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB020N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
IPA50R190CE
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-FP
IRF8714GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO