Številka izdelka proizvajalca:
IPB020N08N5ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB020N08N5ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Zaloga:
5676 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803327
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB020N08N5ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.8V @ 208µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
166 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
12100 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
300W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB020
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IPB020N08N5ATMA1CT
IPB020N08N5ATMA1-DG
IPB020N08N5ATMA1DKR
IPB020N08N5ATMA1TR
SP001227042
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPA50R190CE
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-FP
IRF8714GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IPB80N04S204ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3