Številka izdelka proizvajalca:
IPA60R360P7SXKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPA60R360P7SXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Podroben opis:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Zaloga:
3734 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12799479
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPA60R360P7SXKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
360mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 140µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
555 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
22W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-FP
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
IPA60R360
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001606068
2156-IPA60R360P7SXKSA1
ROCINFIPA60R360P7SXKSA1
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSC030N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
IPA65R150CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
BSP149 E6327
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
