Številka izdelka proizvajalca:
IPA80R650CEXKSA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPA80R650CEXKSA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
Podroben opis:
N-Channel 800 V 8A (Ta) 33W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Zaloga:
459 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804965
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPA80R650CEXKSA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.9V @ 470µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1100 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
33W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3F
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
IPA80R650
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP001313394
ROCINFIPA80R650CEXKSA2
2156-IPA80R650CEXKSA2
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF630NS
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
IPI147N12N3GAKSA1
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
IPAN50R500CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
