Številka izdelka proizvajalca:
IPAW60R360P7SE8228XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPAW60R360P7SE8228XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Podroben opis:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Zaloga:
12805021
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPAW60R360P7SE8228XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
360mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 140µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
555 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
22W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-FP
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
IPAW60
Dodatne informacije
Druga imena
IPAW60R360P7SE8228XKSA1-DG
448-IPAW60R360P7SE8228XKSA1
SP002367786
Standardni paket
450
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPA60R360P7SXKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
3734
ŠTEVILKA DELA
IPA60R360P7SXKSA1-DG
CENA ENOTE
0.43
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF3205LPBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO262
IRF1405ZSPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IPN95R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
