Številka izdelka proizvajalca:
IPB180P04P403ATMA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB180P04P403ATMA2-DG
Opis:
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Podroben opis:
P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Zaloga:
1836 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12948674
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB180P04P403ATMA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS®-P2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
180A (Tc)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 410µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
17640 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
150W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-7-3
Paket / Primer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Osnovna številka izdelka
IPB180
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPB180P04P403ATMA2TR
SP002325764
448-IPB180P04P403ATMA2DKR
448-IPB180P04P403ATMA2CT
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB120P04P404ATMA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
IPD90P03P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
IPD50P03P4L11ATMA2
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
