Številka izdelka proizvajalca:
IPB200N15N3GATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB200N15N3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Zaloga:
1774 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12800961
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB200N15N3GATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
8V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
20mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 90µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1820 pF @ 75 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
150W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB200
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPB200N15N3GATMA1DKR
IPB200N15N3GATMA1CT
IPB200N15N3 GCT-DG
IPB200N15N3 G
IPB200N15N3 GDKR
IPB200N15N3 GCT
IPB200N15N3 GTR-DG
IPB200N15N3G
IPB200N15N3 GTR
IPB200N15N3GATMA1TR
IPB200N15N3 G-DG
SP000414740
IPB200N15N3 GDKR-DG
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB65R110CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
IPD050N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
IPDH6N03LAG
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3