Številka izdelka proizvajalca:
IPB70N12S3L12ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB70N12S3L12ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CHANNEL_100+
Podroben opis:
N-Channel 120 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Zaloga:
12800166
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB70N12S3L12ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
120 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
70A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
12.1mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 83µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5550 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3-2
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB70N
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
INFINFIPB70N12S3L12ATMA1
SP001398606
2156-IPB70N12S3L12ATMA1
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB65R095C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
IPI60R099CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
BTS121ANKSA1
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
