Številka izdelka proizvajalca:
IPC50N04S55R8ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPC50N04S55R8ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Podroben opis:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
Zaloga:
4727 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12800815
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPC50N04S55R8ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
7V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.4V @ 13µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1090 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
42W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TDSON-8-33
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
IPC50N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPC50N04S55R8ATMA1CT
2156-IPC50N04S55R8ATMA1
IPC50N04S55R8ATMA1TR
IPC50N04S55R8ATMA1DKR
SP001418130
INFINFIPC50N04S55R8ATMA1
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB90R340C3ATMA2
MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3
IPD65R420CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
IPC60R165CPX1SA4
MOSFET N-CH BARE DIE
